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[实用新型]制程腔室上的连接装置-CN200820057694.2有效
发明人：胡旭峰;胡凯峰;毛国胤;陈亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01R4/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种制程腔室上的连接装置，用于连接电源线和等离子产生源。
制程腔室上连接装置

[发明专利]一种墨水干燥烘烤装置及方法-CN202111430914.8有效
发明人：余锋 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B41J11/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种墨水干燥烘烤装置及方法,装置包括：制程腔体，所述制程腔体内设有：制程腔室、避位腔室、恒温台，所述制程腔室上设有换气口和承接构件；所述避位腔室和所述制程腔室之间通过活动门连接；所述恒温台通过所述活动门在所述制程腔室和所述避位腔室内移动通过提供可以更换气体环境的制程腔体，配合恒温台以及避位腔室，实现可以在一个制程腔体内完成OLED墨水的干燥制程和烘烤制程，降低生产成本。
一种墨水干燥烘烤装置方法

[实用新型]一种上盖及真空干燥装置-CN202220390442.1有效
发明人：王帅 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示面板制造设备技术领域，公开了一种上盖及真空干燥装置。真空干燥装置包括上盖和底座，上盖扣合在底座上，上盖上开设有制程凹槽，当上盖盖设于底座上后围设形成制程腔室，上盖上还开设有压力平衡腔室，压力平衡腔室与制程凹槽至少共用一个壁板，压力平衡腔室与制程腔室保持相同的压力本实用新型的上盖中制程腔室的壁板不会发生凹陷变形，从而保证制程腔室形状稳定、压力变化均匀，进而保证玻璃基板的良品率，且从根本上杜绝了制程腔室壁板的变形，不需要定期检测和更换，从而能提高生产效率、减少人力需求真空干燥装置通过采用上述上盖，良品率高、生产效率高、成本低，人力需求少。
一种真空干燥装置

[发明专利]基底制程装置及其制程方法-CN200410057589.5无效
发明人：麦可·巴讷斯;约翰·后兰;杉宏清;布瑞恩·Y·普;摩喜特·杰恩;苏立范;麦可·D·阿马寇斯特;韩森·E·奈尔;戴安娜·玛莉黛欧并;阿修克·K·信哈;丹·麦登 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基底制程装置，其包括一个制程腔室，此制程腔室具有一个基底支座、一个气体配管、一个气体增能器、一个气体排出口。此装置亦具有一个制程监测器，是用来监测基底的第一区域上的图案，并产生一个第一信号，还用来监测基底的第二区域上的图案，并产生一个第二信号。此装置还包括一个腔室控制装置，是用来接收并评估该第一信号与该第二信号，并依据该第一信号和该第二信号操作腔室。例如，腔室控制装置可依据这些信号值选择一个制程处方(process recipe)。腔室控制装置亦可设定一个制程参数，其是将制程腔室的第一制程区块设定在第一水平，而将制程腔室的第二制程区块设定在第二水平。此装置可提供一个密闭控制回路以分别监测、控制基底不同区域上的图案所进行的制程。
基底装置及其方法

[发明专利]一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法-CN201210249772.X有效
发明人：陶铮;松尾裕史;曹雪操 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法，所述等离子处理装置至少包括两个腔室，每个腔室在较低位置处设有一个阴极，在所述阴极上连接有射频功率源，基片放置于腔室上进行制程，其中，所述方法包括如下步骤：(a)通入第一制程气体至多个腔室，同时施加第一频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第一制程；(c)施加第二频率于先完成制程的腔室，以维持等离子体于刚好不熄灭状态；（e）通入第二制程气体至多个腔室，同时施加第三频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第二制程。本发明能够显著改善等离子处理腔室的颗粒污染，并且提高了制程的稳定性和效率。
一种用于多腔室等离子处理装置减少颗粒污染方法

[发明专利]腔室等离子清洁制程方法-CN200980130232.6无效
发明人：昌林·斯;程志康;英博小尻;乔舒亚·崔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-07-15 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于对制程工具中的腔室进行等离子体清洁的方法。衬底被放置在其中具有污染物组的制程腔室中的卡盘上。在该制程腔室中进行等离子体制程，以将该污染物组转移到该衬底的上表面上。其上具有该污染物组的衬底被从该制程腔室移除。
等离子清洁方法

[实用新型]压力平衡的热制程设备-CN201720279366.6有效
发明人：林武郎;郑煌玉;方建利;刘又玮;陈世敏 -专利权人：技鼎股份有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压力平衡的热制程设备，用以形成高温气密环境以进行热处理，该热制程设备包含气密腔体、载台、多数个具辐射穿透性的管材及多数个加热组件，气密腔体包括一壁体以及二个透光石英板，二个透光石英板隔设于壁体内而分别与壁体形成上均压腔室及下均压腔室，二个透光石英板之间形成制程腔室，供放置热处理目标对象，载台用以载置热处理目标对象，加热组件对应设置于管材的内部，通过管材对热处理目标对象进行热处理，其中壁体具有连通制程腔室及上均压腔室的上通道以及连通制程腔室及下均压腔室的下通道
压力平衡热制程设备

[发明专利]基底制程装置-CN200880113565.3有效
发明人：尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勳 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种基底制程装置，包括：一个腔室，其限定一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；一个支撑构件，其排布在腔室中用于支撑基底；以及一个引导管，其排布在支撑构件上方，用于将在所述内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底所述腔室包括：一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中；以及一个生成腔室，其排布在制程腔室上方。所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施，且该等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成。
基底装置

[发明专利]半导体制程系统以及处理半导体晶圆的方法-CN202011194714.2在审
发明人：魏愷进;陈哲夫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体制程系统以及处理半导体晶圆的方法，半导体制程系统在制程腔室中处理半导体晶圆。制程腔室包括用于在腔室内执行半导体制程的半导体处理设备。制程腔室包括与制程腔室的一或多个部件整合在一起的热管。热管有效地将来自腔室内的热转移至腔室外部。
半导体系统以及处理方法

[实用新型]半导体设备-CN201821691204.4有效
发明人：朱小凡;赵黎;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体设备，包括设备壳体、多个制程腔室及风机过滤装置；多个制程腔室位于设备壳体内；风机过滤装置位于设备壳体上，风机过滤装置包括用于对空气进行过滤的风机过滤单元，以及用于将过滤后的空气进行输送的风管，风管与风机过滤单元相连通，风管上包括多个出风口，多个出风口与多个制程腔室一一对应设置，用于将过滤后的空气输送至对应的制程腔室的周围。本实用新型的半导体设备相较于传统设备，结构极大简化，有利于降低设备使用成本和维护成本，同时本实用新型的半导体设备对每个制程腔室的微环境进行隔离，可以避免不同制程腔室之间的干扰，有效减少不必要的能源消耗。
制程腔室半导体设备本实用新型过滤装置风机风管过滤风机过滤单元设备壳体出风口一一对应设置传统设备降低设备空气输送能源消耗有效减少设备壳微环境体内隔离维护

[发明专利]使用批式制程腔室的基材处理装置-CN200580039849.9有效
发明人：兰多赫·撒库尔;史缔文·G·查那耶;约瑟夫·尤多夫斯基;阿朗·韦伯;阿达姆·A·布莱劳弗;尼尔·曼瑞;斐内·K·沙阿;安德列斯·G·贺格妲斯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-11-22 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明的态样包含一种利用适于在一或多个批式及/或单一基材制程腔室中处理基材以增加该系统产能的多腔室制程系统(例如集结式机台)处理基材的方法及设备。在一实施例中，一系统是经配置以执行一基材制程程序，其仅含有批式制程腔室，或批式及单一基材制程腔室，以最佳化产能并最小化制程缺陷。在一实施例中，使用批式制程腔室来增加系统产能，通过在其中执行与该基材制程程序中其他制程配方步骤相比特别冗长的制程配方步骤。本发明的态样也包含一种传送前驱物至制程腔室的设备及方法，因此可重复执行ALD(原子层沉积)或CVD(化学气相沉积)沉积制程。
使用批式制程腔室基材处理装置

[发明专利]沉积室的清洁方法-CN202110372167.0在审
发明人：吴宗晟;吴昇颖;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：一种沉积室的清洁方法，包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上；执行沉积制程，以在基板上沉积材料层；将基板移出半导体处理腔室；执行第一清洁制程，其中执行第一清洁制程包括经由基板支撑件内的第一导管提供第一气体至半导体处理腔室内，以及开启射频源以产生第一气体的电浆以清洁基板支撑件的表面；以及执行第二清洁制程，其中执行第二清洁制程包括经由配置于半导体处理腔室的侧壁的第二导管提供第二气体至半导体处理腔室内，以及开启射频源以产生第二气体的电浆以清洁基板支撑件的表面
沉积清洁方法

[实用新型]制造介电层的系统-CN200420084350.2无效
发明人：林俞良;庄平;周梅生 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：包括：一超临界制程环境，是包含一于一制程腔室中的基底，该制程腔室内具有一制程温度与一制程压力；一控制装置，是控制该制程腔室于一超临界状态；一流体扰乱装置，是提供一气胶态的非超临界流体至该制程腔室中；以及一加热装置，是加热该基底至一超临界温度，其中该流体是因该制程腔室中的该制程压力与该制程温度而转变为一超临界流体，且藉由该基底与该超临界流体的接触形成一介电层。
制造介电层系统

[发明专利]晶片制程腔室以及用于检查晶片制程腔室的设备和方法-CN201810541801.7有效
发明人：辛文杰;张凱翔;林圣喆;蒯光国 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：一种晶片制程腔室以及用于检查晶片制程腔室的设备和方法。在一个示例中，该设备包括：传感器、处理器和寿命预测器。传感器用来捕获关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。
晶片制程腔室以及用于检查设备方法

[发明专利]基板处理装置及基板处理装置监控方法-CN201410412579.2在审
发明人：李煜 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明之一个实施例的基板处理装置包括：制程腔室，其对基板进行处理；以及控制部，其监控作为该基板于该制程腔室中处理之时间的处理制程时间，且藉由该处理制程时间之长度变化来监控该制程腔室之操作状态。
处理装置监控方法

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